Récord mundial de electrones en semiconductores AlN/GaN – Ojo critico
- febrero 3, 2026
Investigador de la Universidad de Michigan, Ann Arborlogrado demostrar experimentalmente, un Densidad récord del gas de electrones bidimensional (2DEG) arriba 1×10¹⁴ cm⁻² en una heteroestructura de Nitruro de galio y aluminio (AlN/GaN).